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簡(jiǎn)介:美國(guó)KRI霍爾離子源eH系列緊湊設(shè)計(jì),高電流低能量寬束型離子源,提供原子等級(jí)的細(xì)微加工能力,霍爾離子源eH可以有效地以納米精度來(lái)處理薄膜及表面,多種型號(hào)滿(mǎn)足科研及工業(yè)、半導(dǎo)體應(yīng)用。
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簡(jiǎn)介:上海伯東代理美國(guó)進(jìn)口KRI霍爾離子源eH200是霍爾離子源型eH系列中尺寸最小,低成本設(shè)計(jì)離子源.霍爾離子源eH200適用于小型真空腔內(nèi),例如研發(fā)分析,薄膜沉積和離子清洗.霍爾離子源eH200操作...
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簡(jiǎn)介:KRIIonSource應(yīng)用領(lǐng)域:無(wú)柵極等離子源技術(shù)----End-Hall離子/等離子源有柵極離子源技術(shù)----RFICP離子源
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簡(jiǎn)介:FIG05離子源不但具有zui小150微米束斑和zui高5keV能量,可以用于深度剖析和ISS。而且FIG05還可以提供*束流的能量小于10eV的低能離子,適用于需要正離子的雙束電荷中和。
牛津儀器(上海)有限公司 會(huì)員等級(jí): 產(chǎn)地:上海市我要詢(xún)價(jià) -
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簡(jiǎn)介:上海伯東美國(guó)KRI考夫曼離子源提供多個(gè)類(lèi)型的低能量高密度的電子源,從簡(jiǎn)單的熱電子燈絲模式到中空陰極模式,典型應(yīng)用在等離子和離子工藝中的陰極和陽(yáng)極中和器,通過(guò)技術(shù)完成電子的發(fā)射,測(cè)量和束流控制,廣泛...
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簡(jiǎn)介:SE5離子源是一款設(shè)計(jì)緊湊、使用靈活的冷陰極離子源,zui大束流超過(guò)45微安,能量范圍從300eV直到5keV。對(duì)于低能離子具有*的束流,使ISE5適于敏感材料的轟擊清潔。
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簡(jiǎn)介:伯東公司是美國(guó)考夫曼公司Kuafman&Robinson,Inc(KRI)中國(guó)總代理.KRI考夫曼公司是由離子源發(fā)明人Dr.Kaufman考夫曼博士于1978年在美國(guó)創(chuàng)立.KRI考夫曼離子源歷經(jīng)3...
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簡(jiǎn)介:上海伯東代理美國(guó)進(jìn)口KRI射頻離子源RFICP220高能量柵極離子源,適用于離子濺鍍,離子沉積和離子蝕刻.在離子束濺射工藝中,射頻離子源RFICP220配有離子光學(xué)元件,可以很好的控制離子束去濺射...
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簡(jiǎn)介:上海伯東代理美國(guó)進(jìn)口KRI射頻離子源RFICP140是一款緊湊的有柵極離子源,非常適用于離子束濺射沉積,離子輔助沉積和離子束刻蝕.在離子束濺射工藝中,射頻離子源RFICP140配有離子光學(xué)元件,可...
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簡(jiǎn)介:尺寸:直徑=9.7“高=6”放電電壓/電流:50-300V/20A操作氣體:Ar,Xe,Kr,O2,N2,有機(jī)前體
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簡(jiǎn)介:在離子刻蝕工藝中,離子源與離子光學(xué)配合,蝕刻更均勻.標(biāo)準(zhǔn)配置下RFICP100離子能量范圍100至1200ev,離子電流可以達(dá)到400mA.
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