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伯東代理考夫曼離子源離子槍簡介

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伯東公司是美國考夫曼公司 Kuafman & Robinson,Inc(KRI) 中國總代理. KRI 考夫曼公司是由離子源發明人 Dr.Kaufman 考夫曼博士于 1978年在美國創立. KRI 考夫曼離子源歷經 30 年改良及發展已取得多項 , 受到各領域的肯定.

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考夫曼離子源離子槍簡介

伯東公司是美國考夫曼公司 Kuafman & Robinson,Inc(KRI) 中國總代理. KRI 考夫曼公司是由離子源發明人 Dr.Kaufman 考夫曼博士于 1978年在美國創立.  KRI 考夫曼離子源歷經 30 年改良及發展已取得多項 , 受到各領域的肯定.

KRI 離子源離子槍系列產品融合一系列等離子技術,提供 的操作與運行方式。KRI 離子源主要分為以下幾類:

無柵式端部霍爾離子源 eh
eH 系列離子源離子槍可輸出高離子流和低能源束。離子流達到高速運行需求的同時低能源束能夠減少對設備外表面與內表面的傷害。

有柵極射頻感應耦合等離子體離子源 RFICP
RFICP 系列離子源可以在無燈絲的情況下提供高密度離子流.從離子流中提取的離子束能夠被精確的控制以便提供設定的形狀,電流密度以及離子能。

有柵極離子源 KDC
KDC 系列離子源離子槍是根據典型的考夫曼離子源加強設計的。傳統的離子源工藝使其能夠輸出高質、穩定的離子束。

電源與控制器
我們的電源與控制器操作不同種類的離子、等離子以及電子源。這些產品能夠為等離子流程中的動荷作用輸出平穩、連續的電源。

電子源與離子源離子槍中和器
這些電子源低能量、高電流源。它們一般應用于中和劑或陰極材料,以便控制離子源與等離子源的產量。

PTIBEAMTM 離子透鏡
我們的離子束源采用耐融金屬或石墨的多孔徑網格。這些網格或是平的,或是中凹的,它們與多孔模式一同控制離子軌跡。離子軌跡的聚集產生了離子束,離子電流的分布塑造了該離子束的形狀特征。

離子源


KRI 考夫曼離子源  EH1010F , EH1020F …系列廣泛用于鍍膜之前處理 (ISSP) 及離子輔助鍍膜 (IBAD)且有助于提高光學成膜之沉淀速率, 附著度, 可靠度, 增加折射率, 穿透率等. KRI 考夫曼離子源 整體設計低耗材, 安裝簡易, 維護簡單廣泛應用在生產企業和科研單位



KRI 考夫曼離子源 EH1010F, EH1020F, EH3050F, EH5050F…系列, 目前被廣泛應用于 AR, IR, 分光鏡, 光學蒸鍍鍍膜制程, 多層膜光學鍍膜制程, 低溫度膜制, PVD 制程, 材料分析等等…
 
                       KRI 考夫曼離子源 EH1020F 蒸鍍制程設備應用

KRI 考夫曼離子源 EH1020F controller

KRI 考夫曼離子源 HOLLOW CATHODE 系列 EH200HC, EH400HC, EH1000HC, EH2000HC … 系列不僅廣泛應用于生產單位, 且因離子抨擊能量強, 蝕刻效率快, 可因應多種基材特性, 單次使用長久, 耗材成本極低, 操作簡易, 安裝簡易, 所以目前廣泛應用于許多蝕刻制程及基板前處理制程.

EH400HC Etching application ( ion source body )

KRI ion source controller

 
EH400HC Etching application ( ion source igniting )

 
FeSeTe etching application ( 110V/1.5A etching rate >20 A/Sec )

KRI 考夫曼離子源
PCCO Etching application (110V/1.5A etching rate >17A/Sec )

若您需要進一步的了解詳細產品信息或討論 , 請參考以下聯絡方式 :

上海伯東 : 羅先生                               中國臺灣伯東 : 王小姐
T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 e




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