KRI 考夫曼離子源 KDC 100
上海伯東代理美國 進口 KRI 考夫曼離子源 KDC 100 中型規(guī)格柵極離子源, 廣泛加裝在薄膜沉積大批量生產(chǎn)設(shè)備中, 考夫曼離子源 KDC 100 采用雙陰極燈絲和自對準柵極, 標準配置下離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過 400 mA.

KRI 考夫曼離子源 KDC 100
上海伯東代理美國 進口 KRI 考夫曼離子源 KDC 100 中型規(guī)格柵極離子源, 廣泛加裝在薄膜沉積大批量生產(chǎn)設(shè)備中, 考夫曼離子源 KDC 100 采用雙陰極燈絲和自對準柵極, 標準配置下離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過 400 mA.

KRI 考夫曼離子源 KDC 100 技術(shù)參數(shù)：

型號

KDC 100

供電

DC magnetic confinement

- 陰極燈絲

2

- 陽極電壓

0-100V DC

電子束

OptiBeam™

- 柵極

專用, 自對準

-柵極直徑

12 cm

中和器

燈絲

電源控制

KSC 1212

配置

-

- 陰極中和器

Filament, Sidewinder Filament  或LFN 2000

- 安裝

移動或快速法蘭

- 高度

9.25'

- 直徑

7.6'

- 離子束

聚焦
平行
散設(shè)

-加工材料

金屬
電介質(zhì)
半導體

-工藝氣體

惰性
活性
混合

-安裝距離

8-36”

- 自動控制

控制4種氣體

* 可選: 可調(diào)角度的支架

KRI 考夫曼離子源 KDC 100 應(yīng)用領(lǐng)域：
濺鍍和蒸發(fā)鍍膜 PC
輔助鍍膜(光學鍍膜)IBAD
表面改性, 激活 SM
離子濺射沉積和多層結(jié)構(gòu) IBSD
離子蝕刻 IBE

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