場發射掃描電子顯微鏡-SEM廠家型號：德國蔡司SIGMAHD技術參數：具有高真空和可變壓力模式，實現了分析型場發射掃描電鏡的高清晰成像，并能夠在低加速電壓下（750V-3kV）和低探針電流下對樣品成像

場發射掃描電子顯微鏡-SEM

廠家型號：德國蔡司 SIGMA HD

技術參數：

具有高真空和可變壓力模式，實現了分析型場發射掃描電鏡的高清晰成像，并能夠在低加速電壓下（750V-3kV）和低探針電流下對樣品成像。

1.分辨率：1.3nm (20KV)；

2. 加速電壓：0.02-30KV；

3. 探針電流：4Pa-20nA；

4. 放大倍數：10-1000 000X ；

5．檢測器：In-lens 、SE、EsB、AsB、STEM檢測器；

6．能量譜儀(EDS)：X-MaxN20雙探測器系統（英國Oxford公司）。

應用范圍

1．金屬、陶瓷、高分子、礦物、水泥、半導體、紙張、塑料、食品、生物等材料的顯微形貌、晶體結構和相組織的觀察和分析；

2．各種材料微區化學分的定性和半定量檢測；

3．粉末、微粒納米樣品形態和粒度的測定；

4．復合材料界面特性的研究。

表征項目：

SEM形貌，EDS點掃、線掃 、面掃mapping 。

樣品要求：

1.樣品形態:試樣必須是化學和物理上穩定的固體（塊狀、 片狀、纖維、粉末均可）；

2.樣品表面清潔，在高真空和電子束轟擊下不揮發、不變形，無放射性、無腐蝕性；

3.樣品量：粉末 5mg  ，液體 0.5ml ; 樣品尺寸：長寬高≤ 30*30*10mm 。