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簡介：尺寸：~1mm電學性能：金屬晶體結構：六邊形晶胞參數：a=b=0.246,c=0.667nm,α=β=90#176;,γ=120#176;類型：天然純度：gt;99.98%表征方法：XRD,Ram...

簡介：高比表面積氧化石墨烯HighSurfaceAreaGrapheneOxide制備方法：改良的H法高表面積氧化石墨烯直徑：1~5um厚度：0.8~1.2nm單層比：99%純度：99%比表面積（BET...

簡介：石墨納米顆粒GraphiteNanoparticles制備方法：球磨法外觀：黑色灰分含量：lt;0.5%水含量：0.2%形態：片狀APS：D100lt;1000nmD50lt;400nm厚度：40...

簡介：氮摻雜石墨烯粉末Nitrogen-dopedGraphenePowderBET比表面積（平方米/克）：500~700電導率（S/m）gt;1000（其特征在于在0.3g／cm3的密度）層數：1-5...

簡介：氟化石墨GraphiteFluoride（CarbonMonofluoride）CAS號：51311-17-2wt%F：56-61顏色：灰色/白色密度（g/cm3）：2.5尺寸（微米）：1-10電...

簡介：工業級石墨烯Industrial-QualityGraphene制備方法：熱剝離還原厚度（nm）：≤3BET比表面積（平方米/克）：~600電阻率（Ω?cm）：0.30

簡介：石墨片（進口/10~20mm）GraphiteFlakeflakesize:10~20mm

簡介：羧基化石墨烯CarboxylGraphene直徑：1~5um厚度：0.8~1.2nm羧基比例：5%純度：99%

簡介：石墨片（進口/20~25mm）GraphiteFlakeflakesize:20~25mm

簡介：單層氧化石墨烯（H法/進口）SingleLayerGrapheneOxide（HMethod）制備方法：改良的H法直徑：1~5um厚度：0.8~1.2nm單層比：99%純度：99%堆積密度：0.4...

簡介：Highpurtiygraphite（HOPG）crystalshavebeenI2（iodine）intercalatedtoachievep-typedoping.Crystalsizemea...

簡介：氧化石墨烯（S法/進口）GrapheneOxide（SMethod）制備方法：斯托登梅爾方法外觀為灰綠色粉末直徑：1~5um厚度：0.8~1.2nm比表面積（SSA）5-10平方米/克單層比：＞9...

簡介：Highpurtiygraphite（HOPG）crystalshavebeenBr2（bromine）intercalatedtoachievep-typedoping.Crystalsizem...

簡介：Semiconductoranalogofgraphene:GrapheneoxidehasbeensynthesizedatourRamp;Dfacilitiesusingmodifiedrea...

簡介：單壁碳納米管-標準版TUBALLCarbonNanotubes碳含量（wt.%）：gt;85（評價方法：TGA,EDX）CNT（wt.%）：≥75（評價方法：TEM,TGA）碳納米管的層數：1-2...

簡介：Carboxyl（-COOH）functionalizedgraphenehasbeendevelopedatourfacilities.Canbedepositedonvarioussubstr...

簡介：單壁碳納米管-定制版（1kg）TUBALLCarbonNanotubes碳含量（wt.%）gt;96（評價方法：TGA）CNT（wt.%）：gt;85（評價方法：TEM,TGA）碳納米管的層數：1...

簡介：Graphenefluoridehasbeendevelopedourfacilities.CarbontoFluorideratiois1:1andtheparticlesizerangesfr...

簡介：有序介孔碳-cmk-3Orderedmesoporouscarboncmk-3類型：bet1000比表面積（平方米/克）：1000孔徑（納米）：5.57總孔體積（立方厘米/克）：3.90微孔體積（...

簡介：Nitrogendopedgraphenehasbeencreatedatourfacilities.Idealforexfoliation.Nitrogendopingisfixedat1.5-...