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- +恒溫/加熱/干燥設(shè)備
- +加熱設(shè)備
- +恒溫設(shè)備
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- +合成/反應(yīng)設(shè)備
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- +實驗室家具
- +其它實驗室常用設(shè)備
最新產(chǎn)品
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簡介:單層石墨烯(石墨烯家族)SingleLayerGraphene(GrapheneFactory)BET比表面積(平方米/克):650~750電導(dǎo)率(S/m):500~700層數(shù):1-5層的原子層的...
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簡介:石墨烯納米薄片(2~10nm)GrapheneNanoplaets體積特性外觀:黑色和灰色粉末碳含量:>99.5%體積密度:0.10克/毫升水含量:0.5wt%殘留雜質(zhì):0.5wt%物理性質(zhì)直徑:...
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簡介:高比表面積氧化石墨烯HighSurfaceAreaGrapheneOxide制備方法:改良的H法高表面積氧化石墨烯直徑:1~5um厚度:0.8~1.2nm單層比:99%純度:99%比表面積(BET...
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簡介:氮摻雜石墨烯粉末Nitrogen-dopedGraphenePowderBET比表面積(平方米/克):500~700電導(dǎo)率(S/m)gt;1000(其特征在于在0.3g/cm3的密度)層數(shù):1-5...
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簡介:工業(yè)級石墨烯Industrial-QualityGraphene制備方法:熱剝離還原厚度(nm):≤3BET比表面積(平方米/克):~600電阻率(Ω?cm):0.30
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簡介:羧基化石墨烯CarboxylGraphene直徑:1~5um厚度:0.8~1.2nm羧基比例:5%純度:99%
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簡介:單層氧化石墨烯(H法/進口)SingleLayerGrapheneOxide(HMethod)制備方法:改良的H法直徑:1~5um厚度:0.8~1.2nm單層比:99%純度:99%堆積密度:0.4...
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簡介:氧化石墨烯(S法/進口)GrapheneOxide(SMethod)制備方法:斯托登梅爾方法外觀為灰綠色粉末直徑:1~5um厚度:0.8~1.2nm比表面積(SSA)5-10平方米/克單層比:>9...
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簡介:Semiconductoranalogofgraphene:GrapheneoxidehasbeensynthesizedatourRamp;Dfacilitiesusingmodifiedrea...
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簡介:Carboxyl(-COOH)functionalizedgraphenehasbeendevelopedatourfacilities.Canbedepositedonvarioussubstr...
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