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廣州領(lǐng)拓儀器科技有限公司
三星會(huì)員 | 第1年

18102717108

標(biāo)樂(lè)Buehler 金相制樣
威爾遜
徠卡Leica 顯微鏡
徠卡Leica 電鏡制樣
形創(chuàng) 三維掃描測(cè)量
萊馳RETSCH 粉碎、研磨、篩分
卡博萊特蓋羅Carbolite Gero 高溫箱爐
埃爾特ELTRA 碳 / 氫 / 氧 / 氮 / 硫元素分析儀
麥奇克萊馳MICROTRAC MRB 粒度粒形分析儀
美墨爾特Memmert 溫控箱體
鼎竑離子減薄
EM科特 臺(tái)式掃描電鏡
微曠 高性能原位X射線(xiàn)CT
英斯特朗Instron 力學(xué)測(cè)試
業(yè)納 長(zhǎng)度測(cè)量?jī)x器
島津Shimadzu 物理性分析
島津Shimadzu 色譜
島津Shimazu 表面分析
島津Shimadzu 無(wú)損檢測(cè)
島津Shimazu 元素分析與光譜儀
金相切片耗材
TQC /SHEEN涂料測(cè)試
其他設(shè)備

徠卡精研一體機(jī)EM TXP在微電子中的應(yīng)用

時(shí)間:2020-11-11閱讀:472
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徠卡EM TXP,一款集切割、磨拋、銑削與沖鉆于一身的工具,可對(duì)樣品目標(biāo)精細(xì)定位,尤其擅長(zhǎng)對(duì)肉眼難以觀(guān)察的微小目標(biāo)進(jìn)行定位處理。對(duì)微電子的定位處理,用EM TXP快速精準(zhǔn)。

以下介紹EM TXP針對(duì)一塊PCB上一個(gè)長(zhǎng)不足1mm的電阻的截面處理方法。下圖為PCB板的一角在體式顯微鏡55X下觀(guān)察的形貌,目標(biāo)位置是紅色橢圓圈內(nèi)的電阻,接下來(lái)采用EM TXP切割、磨拋后用金相顯微鏡觀(guān)察。

制樣前處理

該P(yáng)CB板易碎,為防止其受破壞,用標(biāo)樂(lè)的樹(shù)脂進(jìn)行包埋并用粗砂紙磨至如下圖形狀:


徠卡EM TXP制樣過(guò)程

采用的工具如下圖所示:


左圖用TXP的扁平夾具對(duì)樣品進(jìn)行夾持,右圖1至5編號(hào)依次對(duì)應(yīng)的工具為:金剛石鋸片、30um磨片、9um磨片、2um磨片、0.05um拋光布。


01
切割

采用金剛石鋸片,切至靠近目標(biāo)的位置。下圖左為EM TXP的工作區(qū)示意,圖右為切割過(guò)程示意。


02
磨拋

①30um金剛石砂紙粗磨,磨至電阻即停止,如圖紅色圈內(nèi)即目標(biāo)電阻。


②9um金剛石砂紙粗磨,進(jìn)取行程約為60um,制備示意如下左圖,效果如下右圖:


③2um金剛石砂紙細(xì)磨,進(jìn)取行程約為18um,制備示意如下左圖,效果如下右圖:


④0.05um氧化鋁拋光,拋至光滑即可,制備示意如下左圖,效果如下右圖:

TXP的整個(gè)處理過(guò)程,僅需20min。


制樣結(jié)果觀(guān)察

采用徠卡金相顯微鏡DM4M,對(duì)結(jié)果進(jìn)行觀(guān)測(cè)(如下圖所示)。制備整體效果如下左圖,可清楚看出左邊的錫中存在一個(gè)大氣孔;下右圖則可清晰觀(guān)測(cè)到合金層。


試驗(yàn)所用的其他設(shè)備與耗材

1、包埋(鑲嵌)

采用冷鑲嵌的方式,冷鑲所用的耗材如下:

標(biāo)樂(lè)型號(hào)為EpoKwickT M FC的環(huán)氧樹(shù)脂及相應(yīng)固化劑套裝;

標(biāo)樂(lè)型號(hào)為ReleaseAgen的脫模劑。


2、顯微鏡觀(guān)察

采用徠卡金相顯微鏡DM4M,在明場(chǎng)的條件下進(jìn)行拍攝,物鏡倍數(shù)根據(jù)需要可選擇5X、10X、20X、50X、100X, 目鏡為10X。

徠卡DM4M金相顯微鏡

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