高溫熱處理加熱爐，由日本米倉株式會社研發制造

高溫熱處理加熱爐，由日本米倉株式會社研發制造。加熱爐采用紅外集光加熱方式，通過收集光源紅外輻射，聚焦熱量至試樣處（均溫空間）對加熱對象加熱。該加熱爐加熱溫度1500℃，可對半導體材料進行熱處理。大的加熱空間，也使得大試樣（70mm直徑）可以被直接加熱并觀察，而相對普通熱處理爐子的小體積，又節省了空間，可以方便的安裝/操作。

★ 潔凈觀察：觀察爐采用紅外集光方式加熱，即光學加熱，六光源急速加熱，且光源不會對試樣造成污染。加熱溫度1500℃；

★ 加熱速率高：高功率光源、高效率反射集光、體積小三個條件決定了可實現急速加熱冷卻、立體加熱效果、受熱均勻，熱臺加熱速度高達1500℃/min；

★ 體積小：與普通熱處理爐相比，IR-HP2體積小，節省空間。與以往機體體積大、設置場所受限制的情況相比，小型化的機體可在各種環境中使用，可方便實地安裝/操作；

★ 超大加熱空間：加熱空間大，可以實現大試樣（70mm直徑）的加熱以及觀察；

★ 溫度控制精度高；

★ 多氛圍：可以實現真空、大氣、惰性氣體和還原性氣體等多種氛圍環境；

★ 高真空度：真空度可以達到數Pa（由真空泵決定）；

★ 清晰觀察：耐高溫石英玻璃，自動吹掃，防止揮發物的附著、保持始終清晰的觀察效果；

★ 拓展應用：可配備差熱、拉伸、壓縮、三點彎曲等功能，客戶可以根據需求改造應用。

2、溫度控制器。

1、水冷循環器；

2、真空泵；

3、氣體凈化裝置。