| 參考價 | ￥ 20000 |
| 訂貨量 | ≥1臺 |
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太赫茲差頻光電導天線 太赫茲頻域天線
PB1319系列太赫茲差頻光電導天線是基于高性能低溫生長砷化鎵半導體技術，其具有實用、堅固耐用的優點。光纖耦合封裝形式。這些太赫茲差頻光電導天線是按照ISO:9000制造標準建造的，采用全激光焊接組件，集成光學透鏡以及太赫茲硅透鏡。即使在4.5K的低環境下，PB1319太赫茲混頻器也有可靠的記錄。
太赫茲差頻光電導天線 太赫茲頻域天線
產品簡介
PB1319系列太赫茲頻域天線是基于高性能低溫生長砷化鎵半導體技術，其具有實用、堅固耐用的優點。光纖耦合封裝形式。 PB1319太赫茲混頻器通常用于相干差頻系統中產生和探測太赫茲輻射。它們有多種結構，以及定制安裝或配置，通過激光焊接組件，集成光學透鏡和準直太赫茲硅透鏡。
產品參數（標準太赫茲混頻器）
| 參數 | 最小值 | 典型值 | 值 |
| 操作溫度* | -40℃ | 25℃ | +85℃ |
| 操作波長 | 760nm | - | 855nm |
| 有效太赫茲頻譜 | 100GHz | - | 3000GHz |
| 暗電流@20V 偏壓，25℃ | - | 0.3uA | 0.5uA |
| 發射器偏置電壓 | - | ±20V | ±25V |
| 太赫茲功率@200GHz** | 0.02uW | 0.1uW | 0.5uW |
太赫茲功率動態范圍 @100GHz*** @1000GHz*** | - - | 70dB 50dB | - - |
| 平均泵浦功率 | - | 30mW | 40mW |
| 光回射損耗@780nm | 20dB | 40dB | - |
產品參數（低溫太赫茲混頻器）
| 參數 | 最小值 | 典型值 | 值 |
| 操作溫度* | 4.5K | 300K | 350K |
| 操作波長 | 760nm | - | 855nm |
| 有效太赫茲頻譜 | 100GHz | - | 3000GHz |
| 暗電流@20V 偏壓，25℃ | - | 0.3uA | 0.5uA |
| 發射器偏置電壓 | - | ±20V | ±25V |
| 太赫茲功率@200GHz** | 0.02uW | 0.1uW | 0.5uW |
太赫茲功率動態范圍 @100GHz*** @1000GHz*** | - - | 70dB 50dB | - - |
| 平均泵浦功率 | - | 30mW | 40mW |
| 光回射損耗@780nm | 20dB | 40dB | - |
*不考慮氣壓
** 泵浦功率30mW，780nm, 500uA光電流
***在太赫茲頻域光譜儀PB7200中測試所得到的結果
基于太赫茲混頻器的太赫茲頻譜儀系統結構配置
太赫茲混頻器典型頻譜
太赫茲混頻器機械機構
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