牛津儀器 電感耦合等離子體刻蝕PlasmaPro 100 Polaris專為刻蝕堅硬材料（如GaN，藍寶石和SiC）所需要使用的腐蝕性化學氣體而設計，可在直徑200mm的晶圓上實現快速均勻刻蝕。
高效的刻蝕速率
低購置成本
專為腐蝕性的化學成分而設計
出色的刻蝕均勻性
適用于藍寶石的靜電壓盤技術
藍寶石和硅上的GaN
高導通抽氣系統
可與其它PlasmaPro系統集成
牛津儀器 電感耦合等離子體刻蝕PlasmaPro 100 Polaris特征
PlasmaPro 100 Polaris單晶圓刻蝕系統為得到更為的刻蝕效果提供了智能解決方案，使您在行業中能保持競爭優勢。
主動冷卻電極 - 在刻蝕過程中保持樣品溫度
高功率ICP源 - 產生高密度等離子體
可靠的硬件且易于維護 - 可保持長時間正常運轉
磁場墊環 - 增強離子的控制和均勻性
靜電壓盤技術 - 適用于藍寶石，以及藍寶石和硅基的GaN
加熱的腔室內襯 - 優化以減少腔壁沉積
先進的自動匹配單元（AMU） - 提供快速，高效和準確的匹配，確保工藝的高度精準重復性
牛津儀器 電感耦合等離子體刻蝕PlasmaPro 100 Polaris應用
- RF器件SiC通孔刻蝕
- 功率半導體器件SiC形貌刻蝕
- HBLED GaN刻蝕
- RF device GaN etch
- Patterned Sapphire Substrate (PSS) Etch
- SiO2 and quartz etch
ICP刻蝕是一種被廣泛使用的技術，可提供高速率、高選擇比以及低損傷的刻蝕。等離子體能夠在低氣壓下保持穩定，因此能夠更好地控制刻蝕形貌。 Cobra® ICP刻蝕源在低氣壓下仍可產生高密度的反應粒子。襯底上的直流偏壓由一個射頻發生器獨立控制, 因此可根據工藝要求控制離子能量。
電感耦合等離子體刻蝕要點
- 高刻蝕速率
- 出色的均勻性
- 低氣壓下高密度的反應粒子
- 精準的襯底直流偏壓控制
- 精準的離子能量控制
- 更寬的電極溫度范圍 -150ºC至+400ºC
電感耦合等離子體刻蝕特點及優勢
- 高刻蝕速率可由高離子密度（> 1011 /cm3）和高自由基密度來實現
- 能夠利用低離子能量實現對選擇比和損傷的控制
- 獨立的射頻和電感耦合等離子體發生器分別提供了對離子能量和離子密度的獨立控制, 從而實現了高度的工藝靈活性
- 在低氣壓工藝下同時仍具有高離子密度，這樣可以改善對外形的控制
- 化學和離子誘導刻蝕
- 也可以在RIE模式下運行，以滿足某些慢速刻蝕的需要
- 可用于ICP－CVD模式的沉積
- 高導通的泵送端口可提供高氣體流量，以實現快速的刻蝕速率
- 靜電屏蔽消除了電容耦合，減少了對器件的電學損傷，以及在腔室內減少了雜質顆粒的形成
- 標準化的晶圓壓盤與氦冷卻，提供了出色的溫度控制，同時可以選擇更寬的溫度范圍
