可變角度單次反射ATR，用于多層膜、鍍層、脫模劑、硅外延層、金屬或硅片等表面單層膜或超薄膜、化學遷移等的分析，亦可用于紅外光譜電化學研究。

產品特點：

• 30°～80°連續可變入射角

• 0.4-46微米入射深度，適合深度剖析，如多層膜、鍍層分析

• 20mm大尺寸晶體，非常適合硅片或金屬基底表面的單層膜、超薄膜分析，相比于鏡面反射，靈敏度可提高1-2數量級

• 結合電化學池用于紅外光譜電化學研究

• *的光通量，以最短的掃描時間提供的光譜質量，提高檢出限
• 可選ZnSe\Ge\Si\ZnS晶體
• 可作為變角鏡面反射附件使用
• 預留偏振片位置，可選配手動或自動偏振片
• 可選配自動版，軟件調節入射角

• 可加熱晶體盤，溫度至130℃