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GDAT-A 高頻介電常數測試儀廠家

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高頻介電常數測試儀廠家 讀數清晰,無須換算,操作簡便,特別適合電子元器件的質量分析,品質控制,科研生產,也可用于高校的電子信息,電子通信,材料科學等專業作科研實驗儀器.

詳細信息 在線詢價

高頻介電常數測試儀廠家  介質損耗(dielectric loss )指的是絕緣材料在電場作用下,由于介質電導和介質極化的滯后效應,在其內部引起的能量損耗。也叫介質損失,簡稱介損。

 

高頻介電常數測試儀廠家  滿足標準:

GBT 1409-2006測量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長在內)下電容率和介質損耗因數的推薦方法

 

 

技術指標

1.Q值測量

   a.Q值測量范圍:2~1023。

   b.Q值量程分檔:30、100、300、1000、自動換檔或手動換檔。

   c.標稱誤差

頻率范圍20kHz~10MHz;

固有誤差≤5%

工作誤差≤7%

頻率范圍10MHz~60MHz;

固有誤差≤6%

工作誤差≤8%

2.電感測量范圍:14.5nH~8.14H

3.介電常數介質損耗試驗儀電容測量:1~ 460

直接測量范圍

1~460pF     主電容調節范圍      準確度 30~500pF   150pF以下±1.5pF;   150pF以上±1%

   注:大于直接測量范圍的電容測量見使用規則

4.介電常數介質損耗試驗儀信號源頻率覆蓋范圍

頻率范圍

10kHz~50MHz

頻率分段

(虛擬)

10~99.9999kHz

100~999.999kHz

1~9.99999MHz

10~60MHz     

5、電感:

線圈號    測試頻率    Q值    分布電容p       電感值  

  9         100KHz      98       9.4           25mH

  8         400KHz     138       11.4        4.87mH

  7         400KHz    202       16           0.99mH

  6           1MHz     196       13          252μH

  5           2MHz     198       8.7        49.8μH

  4         4.5MHz    231       7             10μH

  3          12MHz      193     6.9         2.49μH

  2          12MHz      229     6.4        0.508μH            

  1   25MHz,50MHz   233,211    0.9       0.125μH

 

6、雙掃描技術 - 測試頻率和調諧電容的雙掃描、自動調諧搜索功能。

7、雙測試要素輸入 - 測試頻率及調諧電容值皆可通過數字按鍵輸入。

8、雙數碼化調諧 - 數碼化頻率調諧,數碼化電容調諧。

9、自動化測量技術 -對測試件實施 Q 值、諧振點頻率和電容的自動測量。

10、全參數液晶顯示 – 數字顯示主調電容、電感、 Q 值、信號源頻率、諧振指針。

11、DDS 數字直接合成的信號源 -確保信源的高葆真,頻率的高精確、幅度的高穩定。

12、計算機自動修正技術和測試回路優化 —使測試回路 殘余電感減至低,治療 Q 讀數值在不同頻率時要加以修正的困惑。

 

 

 

電橋測量靈敏度

 

    電橋在使用過程中,靈敏度直接影響電橋平衡的分辨程度,為保證測量準確度,

 

希望電橋靈敏度達到一定的水平。通常情況下電橋靈敏度與測量電壓,標準電容量

 

成正比。

 

    在下面的計算公式中,用戶可根據實際使用情況估算出電橋靈敏度水平,在這

 

個水平上的電容與介質損耗因數的微小變化都能夠反應出來。

 

          DC/C或Dtgd=Ig/UwCn(1+Rg/R4+Cn/Cx)   

 

         式中:U為測量電壓                     伏特(V)

 

ω為角頻率 2pf=314(50Hz)                            

 

          Cn標準電容器容量                    皮法(pF)

 

          Ig通用指另儀的電流5X10-10            安培(A)

 

          Rg平衡指另儀內阻約1500              歐姆(W)

 

          R4橋臂R4電阻值3183                 歐姆(W)

 

          Cx被測試品電容值                    皮法(pF)

 

 

 

主要特點:

空洞共振腔適用于CCL/印刷線路板,薄膜等非破壞性低介電損耗材料量測。 印電路板主要由玻纖與環氧樹脂組成的, 玻纖介電常數為5~6, 樹脂大約是3, 由于樹脂含量, 硬化程度, 溶劑殘留等因素會造成介電特性的偏差, 傳統測量方法樣品制作不易, 尤其是薄膜樣品( 小于 10 mil) 量測值偏低,。

 

 

 

 安全措施

(1)高壓保護:試品短路、擊穿或高壓電流波動,能迅速切斷高壓輸出。

(2)CVT保護:設定自激電壓的過流點,一旦超出設置的電流值,儀器自動退出測量,不會損壞設備。

(3)接地檢測:儀器有接地檢測功能,未接地時不能升壓測量。

(4)防誤操作:具備防誤操作設計,能判別常見接線錯誤,安全報警。

(5)防“容升”:測量大容量試品時會出現電壓抬高的“容升”效應,儀器能自動跟蹤輸出電壓,保持試驗電壓恒定。

 

 

高頻西林電橋

    這種電橋通常在中等的電壓下工作,是比較靈活方便的一種電橋;通常電容 CN是可變的(在高壓電橋中電容 CN通常是固定的),比較容易采用替代法。

    由于不期望電容的影響隨頻率的增加而增加,因此仍可有效使用屏蔽和瓦格納接地線路。

 

 

高頻電橋
由于它不再是一個高壓電橋,因此承受電壓U1的臂能容易地引人可調元件;替代法在此適用
 還應指出,帶有分開的初級繞組的電橋允許電源和檢測器互換位置。其平衡與在次級繞組中對應
的安匝數的補償相符.

 

 

  電介質的用途

 電介質一般被用在兩個不同的方面:

 用作電氣回路元件的支撐,并且使元件對地絕緣及元件之間相互絕緣;

 用作電容器介質

 

 

原理:

基于串聯諧振原理的《GDAT高頻Q表》是測試系統的二次儀表,其數碼化主調電容器的創新設計代表了行業的成就,隨之帶來了頻率、電容雙掃描GDAT的全新搜索功能。該表具有先進的人機界面,采用LCD液晶屏顯示各測量因子:Q值、電感L、主調電容器C、測試頻率F、諧振趨勢指針等。高頻信源采用直接數字合成,測試頻率10KHz-60MH或200KHz-160MHz,頻率精度高達1×10-6。國標GB/T 1409-2006規定了用Q表法來測定電工材料高頻介質損耗角正切值(tanδ)和介電常數(ε),把被測材料作為平板電容的介質,與輔助電感等構成串聯諧振因子引入Q表的測試回路,以獲取測試靈敏度。因而Q表法的測試結果更真實地反映了介質在高頻工作狀態下的特征。

   GDAT高頻Q表的全數字化界面和微機控制使讀數清晰穩定、操作簡便。操作者能在任意點頻率或電容值的條件下檢測Q值甚至tanδ,無須關注量程和換算,*摒棄了傳統Q表依賴面板上印制的輔助表格操作的落后狀況,它無疑是電工材料高頻介質損耗角正切值(tanδ)和介電常數(ε)測量的理想工具。

 

 

 

小知識:

相對電容率 relativep ermittivity
εr
電容器的電極之間及電極周圍的空間全部充以絕緣材料時,其電容 Cx與同樣電極構形的真空電容Co 之比:

       Cx

εr = ——  ----------(1)

       Co

式 中 :
εr  — 相對電容率;
CX  — 充有絕緣材料時電容器的電極電容;
Co  — 真空中電容器的電極電容。
在標準大氣壓下,不含二氧化碳的于燥空氣的相對電容率εr等于1.00053。因此,用這種電極構形在空氣中的電容Ca來代替Co測量相對電容率εr時,也有足夠的精確度。
在 一 個 測量系統中,絕緣材料的電容率是在該系統中絕緣材料的相對電容率εr與真空電氣常數εo的乘積.

 

復相對電容率complex relative permittivi

εr      由相對電容率和損耗指數結合而得到的:

εr    = ε'r  -  jεr               ----------(3)

εr = εr                     ----------(4)

εr = εr                  ----------(5)

    εr

Tanδ = --               ----------(6)

    ε'r

式中:

εr --------  復相對電容率;

εr--------  損耗指數;

ε'r、εr   -------- 相對電容率;

 

溫度
損耗指數在一個頻率下可以出現一個醉大值,這個頻率值與電介質材料的溫度有關。介質損耗因數和電容率的溫度系數可以是正的或負的,這取決于在測量溫度下的介質損耗指數醉大值位置。


濕度
極 化 的 程度隨水分的吸收量或電介質材料表面水膜的形成而增加,其結果使電容率、介質損耗因數
和直流電導率增大。因此試驗前和試驗時對環境濕度進行控制是*的
注 :濕 度 的顯著影響常常發生在1MHz以下及微波頻率范圍內

北京北廣精儀儀器設備有限公司

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