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簡(jiǎn)介:硅基底石墨烯(1*1''單層)GrapheneonSi表面電阻:小于600Ω/sq定做:<300Ω/sq透明度:gt;95%制備方法:1)采用化學(xué)氣相沉積方法制備銅基石墨烯2)石墨烯從銅轉(zhuǎn)移到硅襯...
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簡(jiǎn)介:形狀:可任意裁剪尺寸:1*1cm/2*2cm/5*5cm/10*10cm層數(shù):?jiǎn)螌泳Я#簡(jiǎn)尉?多晶,50~300um
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簡(jiǎn)介:二氧化硅基底石墨烯(1*1''單層)GrapheneonSiO2表面電阻:小于600Ω/sq定做:<300Ω/sq透明度:gt;95%制備方法:1)采用化學(xué)氣相沉積方法制備銅基石墨烯2)石墨烯從銅...
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簡(jiǎn)介:形狀:可任意裁剪尺寸:1*1cm襯底:紫銅層數(shù):?jiǎn)螌泳Я#簡(jiǎn)尉?多晶,50~300um
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簡(jiǎn)介:三維石墨烯網(wǎng)絡(luò)是在泡沫金屬基底上通過(guò)化學(xué)氣相沉積高溫生長(zhǎng)石墨烯薄膜層,借助泡沫基底的三維多孔骨架,生長(zhǎng)成石墨烯的三維網(wǎng)絡(luò)。三維石墨烯具有體表面積大,導(dǎo)電性佳,質(zhì)量輕等特點(diǎn)。
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簡(jiǎn)介:尺寸:1*1cm/5*5cm/10*10cm層數(shù):?jiǎn)螌泳Я#簡(jiǎn)尉?多晶,50~300um
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簡(jiǎn)介:維石墨烯網(wǎng)絡(luò)是在泡沫金屬基底上通過(guò)化學(xué)氣相沉積高溫生長(zhǎng)石墨烯薄膜層,借助泡沫基底的三維多孔骨架,生長(zhǎng)成石墨烯的三維網(wǎng)絡(luò)。三維石墨烯具有體表面積大,導(dǎo)電性佳,質(zhì)量輕等特點(diǎn)。
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簡(jiǎn)介:三維石墨烯網(wǎng)絡(luò)是在泡沫金屬基底上通過(guò)化學(xué)氣相沉積高溫生長(zhǎng)石墨烯薄膜層,借助泡沫基底的三維多孔骨架,生長(zhǎng)成石墨烯的三維網(wǎng)絡(luò)。三維石墨烯具有體表面積大,導(dǎo)電性佳,質(zhì)量輕等特點(diǎn)。
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簡(jiǎn)介:材料簡(jiǎn)介:三維石墨烯網(wǎng)絡(luò)是在泡沫金屬基底上通過(guò)化學(xué)氣相沉積高溫生長(zhǎng)石墨烯薄膜層,借助泡沫基底的三維多孔骨架,生長(zhǎng)成石墨烯的三維網(wǎng)絡(luò)。三維石墨烯具有體表面積大,導(dǎo)電性佳,質(zhì)量輕等特點(diǎn)。應(yīng)用領(lǐng)域:1)...
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簡(jiǎn)介:維石墨烯網(wǎng)絡(luò)是在泡沫金屬基底上通過(guò)化學(xué)氣相沉積高溫生長(zhǎng)石墨烯薄膜層,借助泡沫基底的三維多孔骨架,生長(zhǎng)成石墨烯的三維網(wǎng)絡(luò)。三維石墨烯具有體表面積大,導(dǎo)電性佳,質(zhì)量輕等特點(diǎn)。
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簡(jiǎn)介:The3DGrapheneFoamisdepositedcomformablyontoNickelfoamfoilsbychemicalvapordeposition(CVD)process.
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簡(jiǎn)介:材料簡(jiǎn)介:三維石墨烯網(wǎng)絡(luò)是在泡沫金屬基底上通過(guò)化學(xué)氣相沉積高溫生長(zhǎng)石墨烯薄膜層,借助泡沫基底的三維多孔骨架,生長(zhǎng)成石墨烯的三維網(wǎng)絡(luò)。三維石墨烯具有體表面積大,導(dǎo)電性佳,質(zhì)量輕等特點(diǎn)。應(yīng)用領(lǐng)域:1)...
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簡(jiǎn)介:CVDGraphenesheetshavebeendepositedonto50micronthickCufoilsusingmodifiedchemicalvaportechnique.Inou...
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簡(jiǎn)介:The3DGrapheneFoamisdepositedcomformablyontoNickelfoamfoilsbychemicalvapordeposition(CVD)process.
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簡(jiǎn)介:高純度黑磷晶體BlackPhosphorus-Crystal晶體結(jié)構(gòu):正斜方晶結(jié)構(gòu)晶體尺寸:~10mm電學(xué)性能:半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu):斜方晶系晶胞參數(shù):a=0.331nm,b=1.048,c=0.437...
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