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SOI芯片光電探測器陣列

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SOI芯片光電探測器陣列,該產品基于硅基鍺-硅光電探測器,實現了多通道光電探測器的單片化集成,可片上集成光學混頻器,芯片尺寸小,集成度高,偏振相關性小,模擬帶寬大,可提供裸片或光電一體化封裝產品方案。

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SOI芯片光電探測器陣列

SOI Chip-based Photodetector Array

SOI芯片光電探測器陣列,該產品基于硅基鍺-硅光電探測器,實現了多通道光電探測器的單片化集成,可片上集成光學混頻器,芯片尺寸小,集成度高,偏振相關性小,模擬帶寬大,可提供裸片或光電一體化封裝產品方案。

〖特性Features

多通道

高集成度芯片化

大模擬帶寬

〖應用Applications〗

光纖傳感

光纖通信

激光雷達


〖性能指標Specifications〗

參數指標

Parameters

 

 

單位

Unit

最小值

Min.

典型值

Typ.

 

最大值

Max.

備注

Notes

波長范圍

Wavelength range

 

 

 

nm

1530—1570 nm  or  1270nm—1330 nm

 

暗電流

Dark current

 

nA

35


50


3 dB模擬帶寬

3 dB bandwidth

GHz



28


光飽和功率

Optical saturation power

mW

10




響應度

Responsibility

A/W

0.8


0.85


90度光學混頻器損耗

90°mixer loss

dB

6

6.5

6.7


90度光學混頻器相位失衡度

90°mixer phase unbalance

°

5




通道數

Number of channels


8或可定制

8 or Can be customized


光纖接入損耗

Insertion loss

dB

≤0.5


偏振相關損耗

PDL

dB

≤0.3


工作溫度范圍

Operating temperature range

°C

-20


50


工作濕度范圍

Operating humidity range

%



+65


芯片尺寸

Chip Dimensions

mm

4(L)×5(W)×0.5(H)







































訂貨信息Ordering information〗

ZG

波長

Wavelength

通道數

Number of channels

類型

Type


13=1310nm

15=1550nm

1=1CH

4=4CH

8=8CH

16=CH

48=48CH

XX=other

 

 

1=光電探測器

1=PD

2=混頻器

2=Mixer

XX=other












四川梓冠光電科技有限公司成立于2015年8月,位于中國科技城——綿陽。主要致力于光通信設備和光通訊芯片的研發、設計、生產及銷售;是一家擁有自主研發能力及規模性量產能力的光通信高新技術企業。
    梓冠光電自成立以來,持續投入研發,吸納通信行業技術人才,其中博士占比人數5.7%,本科占比人數22.8%。公司產品日漸鄒于多元化,不僅擁有行業水平的光開關、光衰減器、光纖延遲線、偏振控制、MEMS器件、高速光探測器、硅基高速器件、脈沖光纖激光器、飛秒光纖激光器、半導體激光器及光路保護設備(OXC)等產品,公司還為激光雷達系統、量子通訊系統、激光聚變成像傳輸系統等提供核心的高精端光器件,其中光纖延遲器、光開關、光衰減器系列為核心技術的量產產品,產品技術獲得多項認證,其中發明6項,外觀,軟著,實用性等共16項。

四川梓冠光電科技有限公司

|

手機:17308159058

聯系人:陳女士

電話:86-0816-2384466

傳真:

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