芯片測試高低溫沖擊箱是給工業(yè)產(chǎn)品、電子產(chǎn)品做高低溫溫度沖擊實(shí)驗(yàn)用的所以還可以叫溫度沖擊實(shí)驗(yàn)箱或者高低溫沖擊實(shí)驗(yàn)箱。溫度沖擊箱工作原理是由測試室、高溫室和低溫室組成。試品放置于測試室，高溫室和低溫室內(nèi)不可放置試品只是儲存不同的溫度用來做產(chǎn)品沖擊時(shí)用。高溫室內(nèi)的空氣預(yù)熱到一定的高溫溫度；低溫室內(nèi)的空氣預(yù)冷到一定的低溫溫度。當(dāng)進(jìn)行低溫的沖擊試驗(yàn)時(shí)，低溫室將預(yù)冷的溫度通過空氣吹入測試室；當(dāng)進(jìn)行高溫的沖擊試驗(yàn)時(shí)，高溫室將預(yù)熱的溫度通過空氣吹入測試室；這樣則能達(dá)到不同的溫度沖擊試驗(yàn)的效果。
芯片測試高低溫沖擊箱的主要技術(shù)參數(shù)：
1．內(nèi)箱尺寸： 600*500*500MM(W*H*D)（更大的尺寸或者更小的尺寸都可以致電柳沁定制）。
2. 外部尺寸： 1830*1950*1550 MM(W*H*D)（一般外尺寸會有一點(diǎn)點(diǎn)偏差屬于正常現(xiàn)象）。
3．試驗(yàn)箱溫度設(shè)定范圍：－65℃～+150℃。
4．高溫箱溫度設(shè)定范圍: +65℃～200℃。
5. 低溫箱溫度設(shè)定范圍:-10℃～-75℃。
6．降溫時(shí)間： +20℃～-75℃≤60min。
（注：降溫時(shí)間為低溫室單獨(dú)運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)的性能并非沖擊時(shí)間）
試驗(yàn)方式：試驗(yàn)時(shí)待測物試驗(yàn)箱里靜靜的擺放著，溫度在高溫箱及低溫箱內(nèi)受試驗(yàn)條件及控制器指標(biāo)根據(jù)冷熱沖擊要求通過氣體分別把冷熱溫度帶動過來完成交替沖擊的試驗(yàn)條件。
溫度波動度： ±0.5℃。
9．溫度均勻度: ±2.0℃。
(依量測規(guī)范:量測SENSOR置放點(diǎn),離內(nèi)箱壁內(nèi)尺寸1/10處)。
10．沖擊復(fù)歸時(shí)間：-55℃～150℃約需3~5分鐘。
11.試驗(yàn)箱冷熱溫度轉(zhuǎn)換移動時(shí)間:≦10秒。
12.高低溫沖擊恒溫時(shí)間各為30分鐘。
13．深圳冷熱沖擊試驗(yàn)箱試樣限制：本實(shí)驗(yàn)設(shè)備禁止易燃、易爆、易揮發(fā)性物質(zhì)試樣的試驗(yàn)或儲存；腐蝕性物質(zhì)試樣的試驗(yàn)或儲存；生物試樣的試驗(yàn)或儲存；強(qiáng)電磁發(fā)射源試樣的試驗(yàn)或儲存。
