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離子蝕刻機 20 IBE-C 伯東公司供應

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上海伯東日本進口適合中等規模量產使用的離子刻蝕機, 樣品臺可選直接冷卻 / 間接冷卻

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離子蝕刻機 20 IBE-C

離子蝕刻機 20IBE-C
上海伯東日本 進口適合中等規模量產使用的離子刻蝕機, 樣品臺可選直接冷卻 / 間接冷卻

離子蝕刻機φ4 inch X 6片

基板尺寸

< φ3 inch X 8片
< φ4 inch X 6片
< φ8 inch X 1片

NS 離子刻蝕機 可選

樣品臺

樣品臺可選直接冷卻 / 間接冷卻0-90度旋轉

離子源

20cm 考夫曼離子源

均勻性

±10% for 8”Ф

硅片刻蝕率

20 nm/min

溫度

<100


NS 離子蝕刻機 20IBE-C 組成
NS 離子蝕刻機

伯東離子蝕刻機主要優點:
1. 干式制程的微細加工裝置, 使得在薄膜磁頭, 半導體元件, MR sensor 等領域的開發研究及量產得以廣泛應用.
2. 物理蝕刻的特性, 無論使用什么材料都可以用來加工, 所以各種領域都可以被廣泛應用.
3. 配置使用美國考夫曼離子源
4. 射頻角度可以任意調整, 蝕刻可以根據需要做垂直, 斜面等等加工形狀.
5. 基板直接加裝在直接冷卻裝置上, 所以可以在低溫環境下蝕刻.
6. 配置公轉自轉傳輸機構, 使得被蝕刻物可以得到比較均勻平滑的表面.
7. 機臺設計使用自動化的操作流程, 所以可以有非常友好的使用生產過程.

離子刻蝕機 3-4inch 20IBE 視頻

NS 離子蝕刻機通氬氣 Ar 不同材料的蝕刻速率:
NS離子蝕刻機
Hakuto NS 日本原裝設計制造離子刻蝕機, 提供微米級刻蝕, 滿足所有材料的刻蝕, 即使對黃金 AU, 鉑 PT, 合金等金屬及半導體材料也能提供蝕刻. 適用于 MR 薄膜磁頭, 自旋電子學, 應力傳感器, 射頻濾波器, 超導體, 復合半導體材料的刻蝕. NS 蝕刻機可配置德國 Pfeiffer 渦輪分子泵和美國 KRI 考夫曼離子源!
上海伯東版權所有, 翻拷必究!

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上海伯東 : 羅先生                               中國臺灣伯東 : 王小姐



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