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CMSD2000 CMSD2000碳納米管復合材料研磨分散機

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CMSD2000碳納米管復合材料研磨分散機設計*,能夠延長易損件的使用時間,因此尤其適合高硬度和高純度物料的粉碎。可以一機多用,也可以單獨使用,且粉碎粒度范圍廣,成品粒徑可以進行調整。

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CMSD2000碳納米管復合材料研磨分散機,多壁碳納米管高速研磨分散機,碳納米管復合材料高剪切研磨分散機,德國進口研磨分散機,IKN研磨分散機,管線式研磨分散機,中試型研磨分散機

 

IKN研磨分散機設計*,能夠延長易損件的使用時間,因此尤其適合高硬度和高純度物料的粉碎。可以一機多用,也可以單獨使用,且粉碎粒度范圍廣,成品粒徑可以進行調整。

碳納米管復合材料
  (1) 導電塑料(聚脂)。將碳納米管均勻地擴散到塑料中,可獲得強度更高并具有導電性能的塑料。可用于靜電噴涂和靜電消除材料,目前高檔汽車的塑料零件由于采用了這種材料,可用普通塑料取代原用的工程塑料,簡化制造工藝,降低了成本,并獲得形狀更復雜、強度更高、表面更美觀的塑料零部件。是靜電噴涂塑料(聚脂)的發展方向。同時由于碳納米管復合材料具有良好的導電性能,不會象絕緣塑料產生靜電堆積,因此是用于靜電消除、晶片加工、磁盤制造及潔凈空間等領域的理想材料。碳納米管還有靜電屏蔽功能,由于電子設備外殼可消除外部靜電對設備的干擾,保證電子設備正常工作。
  (2)電磁干擾屏蔽材料及隱形材料。由于特殊的結構和介電性質,碳納米管表現出較強的寬帶微波吸收性能,它同時還具有重量輕、導電性可調變、高溫抗氧化性能強和穩定性好等特點,是一種有前途的理想的微波吸收劑,可用于隱形材料、電磁屏蔽材料或暗室吸波材料。碳納米管將用于制造具有電磁干擾屏蔽功能及吸收電磁波功能的隱形材料。碳納米管對紅外和電磁波有隱身作用的主要原因有兩點:一方面納米微粒尺寸遠小于紅外及雷達波波長,因此納米微粒材料對這種波的透過率比常規材料要強得多,這就大大減少波的反射率,使得紅外探測器和雷達接收到的反射信號變得很微弱,從而達到隱身的作用;另一方面,納米微粒材料的比表面積比常規粗粉大3~4個數量級,對紅外光和電磁波的吸收率也比常規材料大得多,這就使得紅外探測器及雷達得到的反射信號強度大大降低,因此很難發現被探測目標,起到了隱身作用。由于發射到該材料表面的電磁波被吸收,不產生反射,因此而達到隱形效果。

 

上海依肯的研磨分散機特別適合于需要研磨分散均質一步到位的物料。研磨分散機為立式分體結構,精密的零部件配合運轉平穩,運行噪音在73DB以下。同時采用德國博格曼雙端面機械密封,并通冷媒對密封部分進行冷卻,把泄露概率降到低,保證機器連續24小時不停機運行。簡單的說就是將IKN/依肯膠體磨進行進一步的改良,將單一的膠體磨磨頭模塊,改良成兩級模塊,加入了一級分散盤。可根據物料要求進行更換(我們提供了2P,2G,4M,6F,8SF等五種乳化頭供客戶選擇) IKN研磨分散機可以高速研磨,分散,乳化,均質等功能,設備轉速可達14000rpm,是目前設備轉速的4-5倍。

CMSD2000碳納米管復合材料研磨分散機,多壁碳納米管高速研磨分散機,碳納米管復合材料高剪切研磨分散機,德國進口研磨分散機,IKN研磨分散機,管線式研磨分散機,中試型研磨分散機

上海依肯的研磨分散機特別適合于需要研磨分散均質一步到位的物料。研磨分散機為立式分體結構,精密的零部件配合運轉平穩,運行噪音在73DB以下。同時采用德國博格曼雙端面機械密封,并通冷媒對密封部分進行冷卻,把泄露概率降到低,保證機器連續24小時不停機運行。簡單的說就是將IKN/依肯膠體磨進行進一步的改良,將單一的膠體磨磨頭模塊,改良成兩級模塊,加入了一級分散盤。可根據物料要求進行更換(我們提供了2P,2G,4M,6F,8SF等五種乳化頭供客戶選擇) IKN研磨分散機可以高速研磨,分散,乳化,均質等功能,設備轉速可達14000rpm,是目前國產設備轉速的4-5倍。

 

設備其它參數:

設備等級:化工級、衛生I級、衛生II級、無菌級
電機形式:普通馬達、變頻調速馬達、防爆馬達、變頻防爆馬達、
電源選擇 380V/50HZ220V/60HZ440V/50HZ
電機選配件 PTC 熱保護、降噪型
研磨分散機材質SUS304 SUS316L SUS316Ti,氧化鋯陶瓷
研磨分散機選配:儲液罐、排污閥、變頻器、電控箱、移動小車
研磨分散機表面處理:拋光、耐磨處理
進出口聯結形式:法蘭、螺口、夾箍
研磨分散機選配容器:本設備適合于各種不同大小的容器

 

從設備角度來分析,影響研磨分散機效果因素有以下幾點:

1.研磨頭的形式(批次式和連續式)(連續式比批次式要好)

2.研磨頭的剪切速率,(越大效果越好)

3.研磨的齒形結構(分為初齒、中齒、細齒、超細齒、越細齒效果越好)

4.物料在分散墻體的停留時間、研磨分散時間(可以看作同等電機,流量越小效果越好)

5.循環次數(越多效果越好,到設備的期限就不能再好了。)

 

線速度的計算:

剪切速率的定義是兩表面之間液體層的相對速率。

剪切速率 (s-1) =      v  速率 (m/s)   
               g 定-轉子 間距 (m)

由上可知,剪切速率取決于以下因素:

轉子的線速率

在這種請況下兩表面間的距離為轉子-定子 間距。 
IKN 定-轉子的間距范圍為 0.2 ~ 0.4 mm  

速率V=  3.14 X  D(轉子直徑)X 轉速 RPM  /   60

 所以轉速和分散頭結構是影響分散的一個zui重要因素,超高速分散均質分散機的高轉速和剪切率對于獲得超細微懸浮液是zui重要的

 

CMD2000系列研磨分散機設備選型表
 

型號

流量

L/H

轉速

rpm

線速度

m/s

功率

kw

入/出口連接

DN

CMD2000/4

300

9000

23

2.2

DN25/DN15

CMD2000/5

1000

6000

23

7.5

DN40/DN32

CMD2000/10

2000

4200

23

22

DN80/DN65

CMD2000/20

5000

2850

23

37

DN80/DN65

CMD2000/30

8000

1420

23

55

DN150/DN125

CMD2000/50

15000

1100

23

110

DN200/DN150

 

流量取決于設置的間隙和被處理物料的特性,可以被調節到zui大允許量的10%

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